Красников Геннадий Яковлевич – президент федерального государственного бюджетного учреждения «Российская академия наук», город Москва.

Родился 30 апреля 1958 года в городе Тамбов Тамбовской области.

В 1981 году с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники (МИЭТ) в городе Зеленоград Москвы, получив квалификацию «инженер-физик».

По окончании МИЭТ (ныне – Национальный университет «МИЭТ») с 1981 года работал инженером, затем на других должностях в Научно-исследовательском институте молекулярной электроники (НИИМЭ) Министерства электронной промышленности СССР в Зеленограде. С 1991 года – директор НИИМЭ с опытным заводом «Микрон». В дальнейшем стал генеральным директором ОАО «НИИМЭ и Микрон». В 1999-2003 годах – генеральный директор концерна «Научный центр» (с 2005 года – ОАО «Ситроникс»).

В 1997 году был избран членом-корреспондентом Российской академии наук (РАН) по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации. В 2008 году избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий и в настоящее время является академиком-секретарём этого отделения.

С 2016 года – генеральный директор АО «НИИМЭ» (ранее – исследовательский центр ОАО «НИИМЭ и завод „Микрон“», выделенный с 2011 года в отдельное предприятие).

Заведующий базовой кафедры микро- и наноэлектроники в Московском физико-техническом институте (МФТИ) и базовой кафедрой «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.

С 20 сентября 2022 года – президент Российской академии наук (ФГБУ «РАН»).

Его кандидатура на пост президента академии была выдвинута 8 Отделениями РАН: нанотехнологий и информационных технологий; энергетики, машиностроения, механики и процессов управления; химии и наук о материалах; общественных наук; физиологических наук; сельскохозяйственных наук; президиумами Дальневосточного и Уральского отделений академии. При голосовании на общем собрании РАН более чем двукратно опередил другого претендента Дмитрия Марковича (результат: Красников – 871 голос, Маркович – 397 голосов).

С июля 2023 года – научный руководитель АО «НИИМЭ».

Сферой научной деятельности учёного является физика полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства.

Автор и соавтор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, восьми научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов. Основными направлениями научной деятельности являются исследования в области физики транзисторных структур.

Выполнил цикл теоретических и экспериментальных исследований структурно-примесных комплексов и переноса заряда в системе Si-SiO2. Внёс существенный вклад в исследования по выявлению закономерностей поведения фоновых примесей на границах раздела системы «металл – оксид кремния – кремний», энергии локализации ловушек для электронов и дырок в функциональных слоях полупроводниковых структур.

Им впервые, с позиции единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, дана классификация различных дефектов, образующихся в этой системе в процессе её формирования, выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела гетерогенных областей систем кремний – диоксид кремния – металл, рассмотрены электрические свойства этих структур и предложены методы их стабилизации на заданном уровне.

Результаты исследований определили принципы и методологию физико-технологического обеспечения качества сверхбольших интегральных схем. Создал научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, что привело к существенному совершенствованию микроэлектронных технологий.

Его значительным научным вкладом является обоснование конструктивно-технологических особенностей транзисторных структур при переходе в субмикронные размеры элементов. Им впервые установлены требования к подзатворным диэлектрикам, определяющим электрофизические параметры и качество МОП-транзисторов, технологии их создания, предложены различные конструкции их сток-истоковых областей с учётом постоянного уменьшения размеров транзисторов и их элементов, обоснованы ограничения применения методов масштабирования транзисторов.

Предложенные им принципы формирования кремниевых транзисторных структур были также впервые использованы для создания интегральной схемы на комплементарных структурах металл-оксид-полупроводник (ИС КМОП) на арсениде галлия (GaAs).Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. За счёт увеличения тактовой частоты в 5–8 раз повышается точность первичной обработки информации, при этом время обработки сигналов уменьшается в 2–3 раза.

Внёс существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем. При этом охвачены научно-технические особенности разработки, технологии, производства, испытаний и эксплуатации. Существенное повышение радиационной стойкости интегральных схем достигнуто применением специальных технологий «кремний-на-изоляторе» и методов проектирования с использованием технологий «объёмного кремния». По ключевым факторам уровень радиационной стойкости превышает мировой уровень микросхем данного класса.

В результате решена важнейшая для национальной безопасности задача создания современной бортовой аппаратуры ракетно-космического назначения, обеспечена технологическая независимость России и внесён серьезный вклад в достижение требуемых характеристик современных стратегических ракетных комплексов и нового поколения космических аппаратов.

Для формирования научной и технологической базы нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, им созданы тонкие плёнки метаматериалов с управляемыми свойствами, фотонные и плазмонные элементы, интегрированные в приборный кристалл; изучаются эффекты поведения и стойкости сверхмалых объёмов кристаллических материалов к различным видам радиационных воздействий на границе потери ими зонной структуры, когда из-за близости отражающих границ раздела подавлено образование дальних пар Френкеля.

В настоящее время с его участием ведутся исследования молекулярного транзистора, работа которого основана на взаимодействии двух физических механизмов, свойственных открытым квантовым системам, действующим согласованно: PT-нарушение симметрии, соответствующее слиянию резонансов в исключительной точке молекулы, связанной с выводами, и антирезонанс Фано – Фешбаха.

Его научные результаты легли в основу создания при его непосредственном руководстве современного уникального комплекса по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65 нм, на базе которых реализованы стратегические государственные проекты в области телекоммуникации и связи, транспорта, национальной платёжной банковской системы (МИР), выпуска государственных электронных документов.

Разработанные с применением новых методов интегральные схемы позволили решить ряд важнейших для страны задач обеспечения безопасности: комплектование бортовых систем, в том числе для крылатых ракет, наземных вычислительных комплексов систем вооружений. Были освоены в производстве более 200 типов интегральных схем, необходимых для создания оборонной техники, которые выпускались ранее за пределами России.

Указом Президента Российской Федерации от 21 августа 2025 года за особые заслуги перед государством и выдающийся вклад в развитие отечественной науки Красникову Геннадию Яковлевичу присвоено звание Героя Труда Российской Федерации с вручением знака особого отличия – золотой медали «Герой Труда Российской Федерации»

Живёт и работает в Москве.

Член Совета безопасности Российской Федерации (с 15.01.2024), Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию (с 07.10.2022), Экспертного совета при Правительстве Российской Федерации (с 12.12.2022). Руководитель приоритетного технологического направления России «Электронные технологии». Председатель научно-технического совета Комиссии по научно-технологическому развитию Российской Федерации (с 24.05.2024) и научного совета приоритетного технологического направления «Электронные технологии» при Научно-техническом совете Военно-промышленной комиссии Российской Федерации. Председатель научных советов РАН «Квантовые технологии» и «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для её создания».

Почётный президент международной научной конференции «Микроэлектроника-ЭКБ» (ежегодный международный форум «Микроэлектроника»). Сопредседатель международной научной конференции «Микро и наноэлектроника» (TheInternational Conference “Microand Nanoelectronics” ICMNE). Член совета директоров Глобального альянса производителей полупроводников (Global Semiconductor Alliance).

Почётный профессор МГУ имени М. В. Ломоносова (2023) и МФТИ. Почётный доктор НИЦ «Курчатовский институт» (2023) и Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН. Иностранный член Академии наук Монголии и Национальной академии наук Белоруссии (с 2021). Почётный академик Национальной академии наук Киргизской Республики.

Академик РАН (2008). Член-корреспондент РАН (1997). Доктор технических наук. Профессор.

Награждён орденами «За заслуги перед Отечеством» 3-й (2023) и 4-й (2008) степени (2023), Александра Невского (2018), Почёта (03.03.1999), Дружбы (2014), медалями, в том числе медалью ООН по вопросам образования, науки и культуры (ЮНЕСКО) «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» (2016), орденом Славы 3-й степени (Республика Мордовия, 2017), орденом Святого благоверного князя Даниила Московского (РПЦ, 2023), ведомственными медалями и знаками отличия.

Лауреат Государственной премии Российской Федерации (2014, за разработку полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами для современного микроэлектронного производства), Премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники (1999, за разработку и создание новой техники), (2009, за разработку и применение нового поколения микроэлектронных устройств, систем связи и управления мобильными комплексами противовоздушной обороны и особо важными объектами), (2019, за разработку и создание новой техники), премии Миноборонпрома России за работы в области науки, техники и технологий (1997), Государственной премии Республики Мордовия (2018).



При подготовке биографии использованы материалы, размещённые на сайте Российской академии наук.

Биографию подготовил: Тимур Каримов