Тучкевич Владимир Максимович — директор Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе Академии наук СССР, академик Академии наук СССР, город Ленинград.

Родился 29 декабря 1904 года в селе Яноуцы Хотинского уезда Бессарабской губернии, ныне — Ивановцы Кельменецкого района Черновицкой области Украины, в семье учителя. Украинец. Учился в реальном училище, затем в школе в губернском городе Уфа (ныне — Республика Башкортостан).

В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в Красную Армию. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.

В том же году поступил на физико-математический факультет Киевского государственного университета. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте. По окончании университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метеорологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. В 1931-1935 годах работал преподавателем в Харьковском электротехническом институте.

После выступления молодого учёного на съезде физиков в Одессе был приглашён в Ленинград (ныне — Санкт-Петербург), куда и перебрался в 1935 году. Работал сначала в Рентгеновском, а затем в Физико-техническом институтах: научный сотрудник, старший научный сотрудник, учёный секретарь, заведующий лабораторией. В 1935 году начал преподавательскую деятельность в Ленинградском политехническом институте: доцент кафедры физики, профессор кафедры экспериментальной физики. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. Основные научные интересы связаны с физикой полупроводников и созданием полупроводниковых приборов.

В годы войны работал в группе А. П. Александрова по защите кораблей от магнитных мин на Балтийском и Северном морях, являлся уполномоченным по Балтийскому флоту. Его подпись стояла в документах сорока кораблей, ни один из которых не подорвался на мине.

В первые послевоенные годы руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжёлых элементов. С 1949 года работал в Физико-техническом институте Академии наук СССР, возглавлял сектор, где занимался разработкой методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов. В 1951 году выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения, руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов, а к 1960 году — кремниевых тиристоров. Эти разработки явились основой новой отрасли промышленности мощных полупроводниковых приборов. В 1956 году защитил докторскую диссертацию.

В 1968 году избран членом-корреспондентом, а в 1970 году — действительным членом Академии наук СССР. С 1967 до 1986 года был директором в Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе АН СССР. Руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьем, используемых в производстве черных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в Ленинградском политехническом институте кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил её на общественных началах.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 28 декабря 1984 года за большие заслуги в развитии советской науки и техники, подготовке научных кадров и в связи с восьмидесятилетием со дня рождения Тучкевичу Владимиру Максимовичу присвоено звания Героя Социалистического Труда с вручением ордена Ленина и золотой медали «Серп и Молот».

С 1987 года - заведующий группой Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе АН СССР (РАН); советник Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Наученные работы В.М. Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в Физико-техническом институте были разработаны первые в нашей стране германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б.М. Вулом и С.Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности, создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработав силовые полупроводниковые. Автор более 150 научных работ и 18 авторских изобретений.

Избирался членом Ленинградского обкома КПСС (1970-1976), членом Ленинградского горкома КПСС (1968-1970, 1976-1980).

Жил в городе Санкт-Петербурге. Скончался 24 июля 1997 года.

Лауреат Сталинской (1942), Ленинской (1966) премий, премии им. Б. П. Константинова АН СССР (1982). Заслуженный деятель науки и техники РСФСР.

Награждён 3 орденами Ленина (27.03.1954; 27.12.1974; 28.12.1984), орденами Трудового Красного Знамени (23.07.1959), Отечественной войны 2-й степени (11.03.1985), медалями.

В городе Санкт-Петербург, на фасаде главного здания Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе, установлена мемориальная доска.

Биографию подготовил: Сергей Каргапольцев